Qualcomm n’a pas encore dévoilé l’ensemble des détails de son futur SoC haut de gamme le Snapdragon 820. On ne sait pas, par exemple, quelle sera la fonderie qui s’occupera de produire les puces : TSMC ou Samsung ? Le seul indice laissé est une gravure de type FinFET donc en 14 ou 16 nm. Et si le 10 nm était aussi de la partie ? C’est ce que l’on croit si l’on se fie à une rumeur en provenance de Chine.

10 nm Samsung

Depuis le MWC en mars dernier, Qualcomm distille petit à petit des détails sur le Snapdragon 820, son futur SoC haut de gamme qui va tenter de faire oublier un Snapdragon 810 en demi-teinte. Qualcomm a communiqué sur la partie processeur (avec les cœurs Kyro), la partie GPU avec l’Adreno 530, le DSP Hexagon 680 et le modem Snapdragon X12. Mais on ne sait toujours pas quel sera le fondeur utilisé pour la gravure des wafers comportant les puces. Le seul indice est le terme « FinFET » utilisé et qui fait actuellement référence aux process 14 nm de Samsung et 16 nm de TSMC ainsi qu’aux futurs 10nm des deux fondeurs. Selon les premières rumeurs du mois d’avril, ce serait Samsung et non pas TSMC qui s’occuperait de la gravure. Une nouvelle rumeur chinoise vient renforcer cette information.

 

14LPP et 10LPE

Selon un post mis en ligne sur Weibo, le réseau social chinois, le Snapdragon 820 sera gravé grâce à deux process différents chez Samsung : 14 nm LPP et 10 nm LPE. LPP signifie Low Power Performance, une version améliorée de la gravure en LPE pour Low Power Early. A chaque nouvelle finesse de gravure, les fondeurs ont l’habitude de proposer deux process différents : un premier (LPE chez Samsung) puis un second quelques mois plus tard, davantage optimisé pour atteindre des fréquences plus élevées tout en diminuant la consommation à fréquence égale (le LPP chez Samsung). Samsung a officialisé son 10 nm cet été, en annonçant une production de masse pour la fin de l’année 2016.

Qualcomm Snapdragon 820

 

Une situation improbable

Cela signifierait donc que Qualcomm ferait fabriquer son Snapdragon 820 avec le process 14LPP – comme sur l’Apple A9 selon les rumeurs contrairement à l’Exynos 7420 en 14LPE – puis en 10LPE. Cette information nous semble totalement improbable pour différentes raisons. On voit mal Qualcomm proposer une version améliorée du Snapdragon 820 en début d’année 2017, un an après la disponibilité des versions gravées en 14LPP. On attend plutôt de la part de Qualcomm un nouveau SoC à cette période ou du moins un Snapdragon 810 modifié avec des fréquences bien plus hautes, par exemple. De plus, adapter le Snapdragon 820 pour une gravure en 10 nm demanderait énormément de travail à Qualcomm puisqu’il faudrait revoir le design de la puce et les différents masques utilisés. Pour le moment, dans l’histoire des semi-conducteurs, seul Apple l’a fait avec son SoC A9 produit aussi bien par TSMC que par Samsung mais avec une finesse de gravure à peu près équivalente.

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