Seulement quelques mois après le lancement de la production de ses mémoires vives RAM en 30nm, Samsung annonce le lancement de la production de masse pour ses nouvelles RAM LPDDR3 4 Gb gravées en 20nm. (4Gb équivaut à +- 512 Mo donc pour avoir 4 Go ou GB il faudrait 8 puces … ! ne pas confondre bit avec Octet et Bytes).

ram lpddr3 4gb 20nm

Selon le fabricant coréen, cette nouvelle puce LPDDR3 4 Gb transmettrait des données jusqu’à 2 133 mégabits par seconde (Mbps) par broche, là où la LPDDR2 se limitait à 800 mégabits par seconde (Mbps). En plus de cela, Samsung rapporte également que cette puce aurait une consommation d’énergie réduite de l’ordre de 20% en différence aux modules gravés en 30nm.

D’après Samsung, ses puces auraient des performances quasi-identiques aux barrettes de mémoire RAM que l’on retrouve dans les PC traditionnels, pour une épaisseur de seulement 0,8 mm. Avec une telle épaisseur, il y aura plus d’espace pour les autres composants du smartphone, et ainsi se diriger de plus en plus vers la miniaturisation des cartes mères mobiles.

via SamMobile

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